電子光學控制器是一種將光量的變化轉化為功耗變化的轉換器。應用非常廣泛，長期以來一直應用于航空航天、中醫(yī)藥、科學研究、工業(yè)控制、家用電器產(chǎn)品、船舶工作等領域。光電傳感器的基本知識是光電效應，可以根據(jù)光電效應制造各種光電傳感器。今天，為您詳細介紹光電效應的基本基本知識。在早期階段，我們使用光電效應來制造光電管道。其建模設計和結構如圖所示。這是一個真空玻璃晶體氣泡，在氣泡的內(nèi)壁與金屬復合材料或氫氧化物的一部分，作為光電管的負水平。光電管的陽極處理是金屬復合球的環(huán)形線或半圓元素。

　　光電管的結構

　　光電效應的實驗設備如圖所示。如果光電管道的陽極處理a連接到高電位，負K連接到低電位差，則在陽極處理和負水平之間有一個加速電場，電場方向由a側重K。AK電流計V加載中間工作頻率，變阻器R獲得工作頻率規(guī)格。在圖中，G這是一個敏感的電流計。測試注意，當負水平不被光照射時，大多數(shù)開關電源原理沒有電流值;當負水平被光照射時，電流值立即出現(xiàn)在開關電源原理中。電流值持續(xù)多久;當光停止時，電流值消退。這表明，當光照射時，電子元件從電子光學負水平逃逸。在加速電場的作用下，電子元件飛向陽極，導致控制電路中的光電流。

　　實驗設備的光電效應

　　化合物在光的作用下釋放電子元件，這種情況稱為光電效應。光電效應一般分為外部光電效應和內(nèi)部光電效應。

　　光電效應

　　1.外部光電效應

　　在光源的作用下，物體塊中的電子元件從物體塊的表面逸出，發(fā)射點稱為外部光電效應。根據(jù)外部光電效應的半導體器件包括光電管、光電倍增管等。

　　2.內(nèi)部光電效應

　　兩條線之間的偏差發(fā)生變化，或者導致光生電動勢的效應稱為內(nèi)部光電效應。內(nèi)部光電效應可分為以下兩類。

　　1)電子光導效應

　　在光源的作用下，電子元件消化光子美容機械可以從鍵合情況隨意接收，并導致原材料電阻的變化，這種情況稱為電子光學導電效應。絕大多數(shù)高電阻半導體器件都具有電子光學導電效應。具有這種效應的半導體器件具有光敏電阻(也稱為電子光學塑料軟管)，其通用原料為硫化鎘(CdS)，硫化鉛(PbS)，銻化銦(InSb)，非晶硅(a-Si：H)等。

　　在光源照射下，純半導體器件中的電子元件被機械能超過或等于禁止寬度Eg(eV)光子美容的興起，從價格帶穿過禁止的自由電荷到導電帶，到自由電荷。在一起，價格帶也會導致隨機的空化。導致純半導體器件中導電帶和價格帶的空化濃度值擴大，半導體器件的電阻降低。(a)圖例。電子元件和空蝕統(tǒng)稱為載流子。它們可以在端電壓的作用下產(chǎn)生光電流。當光停止時，缺失電子元件的分子結構捕獲自由電荷，變阻器修復固定資產(chǎn)的原值。它可以使電子元件的價格自由充電到光譜分析儀的光波長λ0(nm)稱為截止波長，λ0≈1240/Eg。

　　N在光照下，如果光子美容機械能超過主能級和導帶底能的專業(yè)等級差，或者主能級和全帶頂能的專業(yè)等級差超過施主能級和導帶底能的專業(yè)等級差Ei(eV)，得到圖(b)或圖(c)圖例，光能被消化，引起光生電子元件或空蝕，可以注冊電導率。由摻雜半導體器件引起的光生載流子的截止波長為λ0≈1240/Ei。

　　當光敏電阻連接到交流電流時Vb，同樣的使用必須是抗拉強度，光波長低于λ當0光源連續(xù)直射時，它導出交流電流i0為

　　式中，η內(nèi)光量子效率高(光生載流子數(shù)與人光子美容數(shù)的比例);μc——大部分載流子的遷移率;τ——大部分載流子使用壽命;d——光敏電阻兩電級間距;p——燈源射入功率;e——普朗克常數(shù)為6.6261×10-34Js。

　　隨著光能的增加，雖然光生載流子的濃度也急劇增加，但電子元件與空蝕之間的復合速率也加快了。因此，低于截止波長的光動能與半導體引起的光電流的特征趨勢圖不是線性相關的。

　　2)光生伏特效物塊(如半導體器件)

　　在光的照射下，能產(chǎn)生一定方向的電動勢的情況稱為光伏效應?；A。具有這種效應的半導體器件包括光電池、光敏二極管和光敏三極管。

　　根據(jù)其基本原理，光生伏效應可分為：

　　側面光生伏特效應

　　側面光生伏效應也稱為殿巴(Dember)效應。

　　當半導體器件半導體器件的光機敏感表面受光不均勻影響時，載流子濃度梯度引起的光電效應稱為側光生伏效應。根據(jù)這種效應，半導體器件具有半導體器件的敏感電子器件(通稱PSD)，或轉動光敏二極管。

　　側光生伏效應的基本工作原理是，半導體器件的照明部分吸收人類光子美容的機械能，導致電子元件的空蝕對，使這部分載流子的濃度高于未照明部分。因此，存在濃度梯度，導致載流子擴散。由于電子元件的遷移率大于空化，電子元件最初擴散到未照明的部分，導致照明部分帶正電，未照明部分帶負電，導致兩部分之間的光電勢頭。

　　PN結光生伏特效應

　　半導體器件的光照射非常接近表層PN結時，與附近的半導體器件一起消化光能。如果光子美容機械能超過禁止帶的寬度，價格帶電子元件自由充電到導帶，成為自由充電，而價格帶相對成為隨機空蝕。這個電子元件是空的PN結內(nèi)部電場的作用下，電子元件調(diào)到N區(qū)兩側，空蝕調(diào)到P區(qū)兩側，結果P區(qū)帶正電，N區(qū)域帶負電，導致光電勢。

　　PN結光生電流值與人光照度成正比，光生伏特與光照度成正比。

　　由于光生電子元件在擴散過程中與半導體器件和電子元件復合，載流子的使用壽命與擴散長度有關。PN結距表層的厚度小于擴散長度，可導致光電流產(chǎn)生光伏。在建設項目中，應用變更PN可以根據(jù)距離表層厚度的方法進行調(diào)整PN半導體器件結光生伏特效應的相頻特性，光電電流與光生電勢差的規(guī)格。

　　根據(jù)這一效應，半導體器件包括光電池、太陽能電池、光敏二極管和光敏三極管。根據(jù)設計方案和生產(chǎn)加工工藝，如果光電池在沒有外部電源的情況下工作，則會產(chǎn)生太陽能電站效應。當光感應管在反向偏置壓下工作時，存在光導效應和太陽能電站效應。它們輸出的光電流與光強度線性相關。

　　電子光學磁效應PEM效應)

　　當半導體器件受到強光的直接輻射，并在光的垂直方向上增加更多的磁場時，電子光學磁效應稱為電子光學磁效應。它可以用作光擴散電流值的霍爾效應。